CT0402CSF-16NG

CT0402CSF-16NG

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-16NG von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 16 nH, Nennstrom 560 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 210mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
16 nH
Nennstrom
560 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
210mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-16NG.

Induktivität
16 nH

CT0402CSF-16NG hat eine Induktivität von 16 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
560 mA Max

CT0402CSF-16NG ist für 560 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
210mOhm

CT0402CSF-16NG hat einen DC-Widerstand von 210mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität16 nH
Toleranz±2%
Nennstrom560 mA Max
DC-Widerstand (DCR)210mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 16NH 210 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz24 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz3.2GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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