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CT0402CSF-1N9K

CT0402CSF-1N9K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-1N9K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.9 nH, Nennstrom 1040 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 70mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.9 nH
Nennstrom
1040 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
70mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-1N9K.

Induktivität
1.9 nH

CT0402CSF-1N9K hat eine Induktivität von 1.9 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1040 mA Max

CT0402CSF-1N9K ist für 1040 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
70mOhm

CT0402CSF-1N9K hat einen DC-Widerstand von 70mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.9 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1040 mA Max
DC-Widerstand (DCR)70mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.9NH 70 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz16 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz11300 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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