CT0402CSF-20NJ

CT0402CSF-20NJ

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-20NJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 20 nH, Nennstrom 420 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
20 nH
Nennstrom
420 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
250mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-20NJ.

Induktivität
20 nH

CT0402CSF-20NJ hat eine Induktivität von 20 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
420 mA Max

CT0402CSF-20NJ ist für 420 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
250mOhm

CT0402CSF-20NJ hat einen DC-Widerstand von 250mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität20 nH
Toleranz±5%
Nennstrom420 mA Max
DC-Widerstand (DCR)250mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 20NH 250 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz25 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz3GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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