CT0402CSF-23NG

CT0402CSF-23NG

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-23NG von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 23 nH, Nennstrom 400 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
23 nH
Nennstrom
400 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
300mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-23NG.

Induktivität
23 nH

CT0402CSF-23NG hat eine Induktivität von 23 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA Max

CT0402CSF-23NG ist für 400 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mOhm

CT0402CSF-23NG hat einen DC-Widerstand von 300mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität23 nH
Toleranz±2%
Nennstrom400 mA Max
DC-Widerstand (DCR)300mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 23NH 300 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz22 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz2.72GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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