CT0402CSF-2N7K

CT0402CSF-2N7K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-2N7K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 nH, Nennstrom 640 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 70mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.7 nH
Nennstrom
640 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
70mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-2N7K.

Induktivität
2.7 nH

CT0402CSF-2N7K hat eine Induktivität von 2.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
640 mA Max

CT0402CSF-2N7K ist für 640 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
70mOhm

CT0402CSF-2N7K hat einen DC-Widerstand von 70mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.7 nH
Toleranz±10%
Nennstrom640 mA Max
DC-Widerstand (DCR)70mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.7NH 70 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz16 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz10400 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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