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CT0402CSF-30NG

CT0402CSF-30NG

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-30NG von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 30 nH, Nennstrom 400 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 410mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
30 nH
Nennstrom
400 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
410mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-30NG.

Induktivität
30 nH

CT0402CSF-30NG hat eine Induktivität von 30 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA Max

CT0402CSF-30NG ist für 400 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
410mOhm

CT0402CSF-30NG hat einen DC-Widerstand von 410mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität30 nH
Toleranz±2%
Nennstrom400 mA Max
DC-Widerstand (DCR)410mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 30NH 410 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz25 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz2.2GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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