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CT0402CSF-3N3K

CT0402CSF-3N3K

Central Technologies

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Beschreibung

FIXED IND 3.3NH 60 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-3N3K.

Induktivität
3.3 nH

CT0402CSF-3N3K hat eine Induktivität von 3.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT0402CSF-3N3K ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm

CT0402CSF-3N3K hat einen DC-Widerstand von 60mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
-

CT0402CSF-3N3K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von -. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 nH
Toleranz±10%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)60mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen-
Gehäuse / Größe-
Gehäuse / Ausführung-
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3NH 60 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Kernmaterial-
Abschirmung-
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau