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CT0402CSF-3N9J

CT0402CSF-3N9J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-3N9J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 nH, Nennstrom 840 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.9 nH
Nennstrom
840 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-3N9J.

Induktivität
3.9 nH

CT0402CSF-3N9J hat eine Induktivität von 3.9 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
840 mA Max

CT0402CSF-3N9J ist für 840 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

CT0402CSF-3N9J hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität3.9 nH
Toleranz±5%
Nennstrom840 mA Max
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.9NH 110 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz19 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz5.8GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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