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CT0402CSF-43NG

CT0402CSF-43NG

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-43NG von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 43 nH, Nennstrom 100 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 500mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
43 nH
Nennstrom
100 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
500mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-43NG.

Induktivität
43 nH

CT0402CSF-43NG hat eine Induktivität von 43 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA Max

CT0402CSF-43NG ist für 100 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
500mOhm

CT0402CSF-43NG hat einen DC-Widerstand von 500mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität43 nH
Toleranz±2%
Nennstrom100 mA Max
DC-Widerstand (DCR)500mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 43NH 500 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz25 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz2.1GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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