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CT0402CSF-4N7J

CT0402CSF-4N7J

Central Technologies

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Beschreibung

FIXED IND 4.7NH 110 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
4.7 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-4N7J.

Induktivität
4.7 nH

CT0402CSF-4N7J hat eine Induktivität von 4.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT0402CSF-4N7J ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

CT0402CSF-4N7J hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
-

CT0402CSF-4N7J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von -. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 nH
Toleranz±5%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen-
Gehäuse / Größe-
Gehäuse / Ausführung-
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7NH 110 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Kernmaterial-
Abschirmung-
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz5.8GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau