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CT0402CSF-4N7J

CT0402CSF-4N7J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-4N7J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 nH
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-4N7J.

Induktivität
4.7 nH

CT0402CSF-4N7J hat eine Induktivität von 4.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm

CT0402CSF-4N7J hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 nH
Toleranz±5%
DC-Widerstand (DCR)110mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7NH 110 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Eigenresonanzfrequenz5.8GHz
MontageartSurface Mount

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