Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-5N1J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.1 nH, Nennstrom 800 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 110mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-5N1J.
CT0402CSF-5N1J hat eine Induktivität von 5.1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT0402CSF-5N1J ist für 800 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT0402CSF-5N1J hat einen DC-Widerstand von 110mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 5.1 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 800 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 110mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 5.1NH 110 MOHM SMD |
| Serie | ct0402csf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Q bei Frequenz | 20 Min @ 250 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 5.8GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
