Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-6N2J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.2 nH, Nennstrom 760 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-6N2J.
CT0402CSF-6N2J hat eine Induktivität von 6.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT0402CSF-6N2J ist für 760 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT0402CSF-6N2J hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.2 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 760 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 6.2NH 80 MOHM SMD |
| Serie | ct0402csf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Q bei Frequenz | 20 Min @ 250 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.8GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
