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CT0402CSF-8N7J

CT0402CSF-8N7J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-8N7J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.7 nH, Nennstrom 480 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.7 nH
Nennstrom
480 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-8N7J.

Induktivität
8.7 nH

CT0402CSF-8N7J hat eine Induktivität von 8.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
480 mA Max

CT0402CSF-8N7J ist für 480 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm

CT0402CSF-8N7J hat einen DC-Widerstand von 200mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.7 nH
Toleranz±5%
Nennstrom480 mA Max
DC-Widerstand (DCR)200mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.7NH 200 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz18 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz4.1GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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