Meine Favoriten
CT0402CSF-9N0J

CT0402CSF-9N0J

Central Technologies

PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0402CSF-9N0J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 9 nH, Nennstrom 680 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
9 nH
Nennstrom
680 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0402CSF-9N0J.

Induktivität
9 nH

CT0402CSF-9N0J hat eine Induktivität von 9 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
680 mA Max

CT0402CSF-9N0J ist für 680 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm

CT0402CSF-9N0J hat einen DC-Widerstand von 100mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CT0402CSF-9N0J weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität9 nH
Toleranz±5%
Nennstrom680 mA Max
DC-Widerstand (DCR)100mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 9NH 100 MOHM SMD
Seriect0402csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz22 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz4.16GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

PDF öffnen