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CT0603CSF-1N6J

CT0603CSF-1N6J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0603CSF-1N6J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.6 nH, Nennstrom 700 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.6 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-1N6J.

Induktivität
1.6 nH

CT0603CSF-1N6J hat eine Induktivität von 1.6 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

CT0603CSF-1N6J ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm

CT0603CSF-1N6J hat einen DC-Widerstand von 30mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität1.6 nH
Toleranz±5%
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)30mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.6NH 30 MOHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz24 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz12.5GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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