CT0603CSF-2N2J

CT0603CSF-2N2J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0603CSF-2N2J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 nH, Nennstrom 100 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 nH
Nennstrom
100 mA
DC-Widerstand (DCR)
250mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-2N2J.

Induktivität
2.2 nH

CT0603CSF-2N2J hat eine Induktivität von 2.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA

CT0603CSF-2N2J ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
250mOhm

CT0603CSF-2N2J hat einen DC-Widerstand von 250mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.2 nH
Toleranz±5%
Nennstrom100 mA
DC-Widerstand (DCR)250mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2NH 250 MOHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz13 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz12.5GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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