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CT0603CSF-33NG

CT0603CSF-33NG

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0603CSF-33NG von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 nH, Nennstrom 600 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 220mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
220mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-33NG.

Induktivität
33 nH

CT0603CSF-33NG hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

CT0603CSF-33NG ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
220mOhm

CT0603CSF-33NG hat einen DC-Widerstand von 220mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±2%
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)220mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 33NH 220 MOHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz40 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz2.3GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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