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CT0603CSF-3N9G

CT0603CSF-3N9G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0603CSF-3N9G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.9 nH
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-3N9G.

Induktivität
3.9 nH

CT0603CSF-3N9G hat eine Induktivität von 3.9 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm

CT0603CSF-3N9G hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.9 nH
Toleranz±2%
DC-Widerstand (DCR)80mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.9NH 80 MOHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz6.9GHz
MontageartSurface Mount

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