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CT0603CSF-R15G

CT0603CSF-R15G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0603CSF-R15G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 nH, Nennstrom 280 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 920mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
280 mA
DC-Widerstand (DCR)
920mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-R15G.

Induktivität
150 nH

CT0603CSF-R15G hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
280 mA

CT0603CSF-R15G ist für 280 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
920mOhm

CT0603CSF-R15G hat einen DC-Widerstand von 920mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±2%
Nennstrom280 mA
DC-Widerstand (DCR)920mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 150NH 920 MOHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz28 Min @ 150 MHz
Eigenresonanzfrequenz990MHz
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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