CT0603CSF-R22G

CT0603CSF-R22G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0603CSF-R22G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 220 nH, Nennstrom 200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.1Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
220 nH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.1Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0603CSF-R22G.

Induktivität
220 nH

CT0603CSF-R22G hat eine Induktivität von 220 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

CT0603CSF-R22G ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.1Ohm

CT0603CSF-R22G hat einen DC-Widerstand von 2.1Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität220 nH
Toleranz±2%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)2.1Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 220NH 2.1 OHM SMD
Seriect0603csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz25 Min @ 100 MHz
Eigenresonanzfrequenz900MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount

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