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CT0805CSF-120G

CT0805CSF-120G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-120G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 nH, Nennstrom 600 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
12 nH
Nennstrom
600 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-120G.

Induktivität
12 nH

CT0805CSF-120G hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA Max

CT0805CSF-120G ist für 600 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm

CT0805CSF-120G hat einen DC-Widerstand von 150mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität12 nH
Toleranz±2%
Nennstrom600 mA Max
DC-Widerstand (DCR)150mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 12NH 150 MOHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz50 Min @ 500 MHz
Eigenresonanzfrequenz4GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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