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CT0805CSF-271G

CT0805CSF-271G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-271G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270 nH, Nennstrom 350 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 1Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
270 nH
Nennstrom
350 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
1Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-271G.

Induktivität
270 nH

CT0805CSF-271G hat eine Induktivität von 270 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
350 mA Max

CT0805CSF-271G ist für 350 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1Ohm

CT0805CSF-271G hat einen DC-Widerstand von 1Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität270 nH
Toleranz±2%
Nennstrom350 mA Max
DC-Widerstand (DCR)1Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 270NH 1 OHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz48 Min @ 250 MHz
Eigenresonanzfrequenz650MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount

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