CT0805CSF-2N8G

CT0805CSF-2N8G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-2N8G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.8 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.8 nH
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-2N8G.

Induktivität
2.8 nH

CT0805CSF-2N8G hat eine Induktivität von 2.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm

CT0805CSF-2N8G hat einen DC-Widerstand von 60mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.8 nH
Toleranz±2%
DC-Widerstand (DCR)60mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.8NH 60 MOHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz7.9GHz
MontageartSurface Mount

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