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CT0805CSF-2N8J

CT0805CSF-2N8J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-2N8J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.8 nH, Nennstrom 800 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.8 nH
Nennstrom
800 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-2N8J.

Induktivität
2.8 nH

CT0805CSF-2N8J hat eine Induktivität von 2.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA Max

CT0805CSF-2N8J ist für 800 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm

CT0805CSF-2N8J hat einen DC-Widerstand von 60mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.8 nH
Toleranz±5%
Nennstrom800 mA Max
DC-Widerstand (DCR)60mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.8NH 60 MOHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz80 Min @ 1500 MHz
Eigenresonanzfrequenz7.9GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount

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