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CT0805CSF-430G

CT0805CSF-430G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-430G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 43 nH, Nennstrom 500 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 340mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
43 nH
Nennstrom
500 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
340mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-430G.

Induktivität
43 nH

CT0805CSF-430G hat eine Induktivität von 43 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA Max

CT0805CSF-430G ist für 500 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
340mOhm

CT0805CSF-430G hat einen DC-Widerstand von 340mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität43 nH
Toleranz±2%
Nennstrom500 mA Max
DC-Widerstand (DCR)340mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 43NH 340 MOHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz60 Min @ 500 MHz
Eigenresonanzfrequenz1.65GHz
Induktivitäts-Testfrequenz200 MHz
MontageartSurface Mount

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