CT0805CSF-470G

CT0805CSF-470G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-470G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47 nH, Nennstrom 500 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 310mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
47 nH
Nennstrom
500 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
310mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-470G.

Induktivität
47 nH

CT0805CSF-470G hat eine Induktivität von 47 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA Max

CT0805CSF-470G ist für 500 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
310mOhm

CT0805CSF-470G hat einen DC-Widerstand von 310mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität47 nH
Toleranz±2%
Nennstrom500 mA Max
DC-Widerstand (DCR)310mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 47NH 310 MOHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz60 Min @ 500 MHz
Eigenresonanzfrequenz1.65GHz
Induktivitäts-Testfrequenz200 MHz
MontageartSurface Mount

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