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CT0805CSF-821G

CT0805CSF-821G

Central Technologies

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Beschreibung

FIXED IND 820NH 2.4 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-821G.

Induktivität
820 nH

CT0805CSF-821G hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT0805CSF-821G ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm

CT0805CSF-821G hat einen DC-Widerstand von 2.4Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
-

CT0805CSF-821G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von -. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±2%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)2.4Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen-
Gehäuse / Größe-
Gehäuse / Ausführung-
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820NH 2.4 OHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
Abschirmung-
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz215MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau