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CT0805CSF-821G

CT0805CSF-821G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-821G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.4Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 nH
DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-821G.

Induktivität
820 nH

CT0805CSF-821G hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm

CT0805CSF-821G hat einen DC-Widerstand von 2.4Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±2%
DC-Widerstand (DCR)2.4Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820NH 2.4 OHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz215MHz
MontageartSurface Mount

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