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CT0805CSF-821J

CT0805CSF-821J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805CSF-821J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 180 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.4Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
180 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805CSF-821J.

Induktivität
820 nH

CT0805CSF-821J hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
180 mA Max

CT0805CSF-821J ist für 180 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.4Ohm

CT0805CSF-821J hat einen DC-Widerstand von 2.4Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±5%
Nennstrom180 mA Max
DC-Widerstand (DCR)2.4Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820NH 2.4 OHM SMD
Seriect0805csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz23 Min @ 50 MHz
Eigenresonanzfrequenz215MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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