Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805HQF-51NJ von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 51 nH, Nennstrom 1000 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805HQF-51NJ.
CT0805HQF-51NJ hat eine Induktivität von 51 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT0805HQF-51NJ ist für 1000 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT0805HQF-51NJ hat einen DC-Widerstand von 120mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 51 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1000 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 51NH 120 MOHM SMD |
| Serie | ct0805hqf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Q bei Frequenz | 65 Min @ 500 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.4GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 200 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
