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CT0805HTF-6N8J

CT0805HTF-6N8J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT0805HTF-6N8J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 nH
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT0805HTF-6N8J.

Induktivität
6.8 nH

CT0805HTF-6N8J hat eine Induktivität von 6.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm

CT0805HTF-6N8J hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 nH
Toleranz±5%
DC-Widerstand (DCR)80mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8NH 80 MOHM SMD
Seriect0805htf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz5.5GHz
MontageartSurface Mount

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