Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-121J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 630mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-121J.
CT1008CSF-121J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT1008CSF-121J ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT1008CSF-121J hat einen DC-Widerstand von 630mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 650 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 630mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 630 MOHM SMD |
| Serie | ct1008csf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Q bei Frequenz | 60 Min @ 350 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 950MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
