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CT1008CSF-152G

CT1008CSF-152G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-152G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.5 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.3Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
DC-Widerstand (DCR)
2.3Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-152G.

Induktivität
1.5 µH

CT1008CSF-152G hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
2.3Ohm

CT1008CSF-152G hat einen DC-Widerstand von 2.3Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±2%
DC-Widerstand (DCR)2.3Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 2.3 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz200MHz
MontageartSurface Mount

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