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CT1008CSF-182G

CT1008CSF-182G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-182G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.6Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.8 µH
DC-Widerstand (DCR)
2.6Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-182G.

Induktivität
1.8 µH

CT1008CSF-182G hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
2.6Ohm

CT1008CSF-182G hat einen DC-Widerstand von 2.6Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.8 µH
Toleranz±2%
DC-Widerstand (DCR)2.6Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.8UH 2.6 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz160MHz
MontageartSurface Mount

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