Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-222G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 280 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.8Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-222G.
CT1008CSF-222G hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT1008CSF-222G ist für 280 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT1008CSF-222G hat einen DC-Widerstand von 2.8Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CT1008CSF-222G weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 280 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.8Ohm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 2.8 OHM SMD |
| Serie | ct1008csf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Q bei Frequenz | 28 Min @ 50 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 160MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
