CT1008CSF-330G

CT1008CSF-330G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-330G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 nH, Nennstrom 1000 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 140mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
1000 mA
DC-Widerstand (DCR)
140mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-330G.

Induktivität
33 nH

CT1008CSF-330G hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1000 mA

CT1008CSF-330G ist für 1000 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
140mOhm

CT1008CSF-330G hat einen DC-Widerstand von 140mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±2%
Nennstrom1000 mA
DC-Widerstand (DCR)140mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 33NH 140 MOHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz60 Min @ 350 MHz
Eigenresonanzfrequenz1.6GHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount

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