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CT1008CSF-331J

CT1008CSF-331J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-331J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.1Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
330 nH
DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-331J.

Induktivität
330 nH

CT1008CSF-331J hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm

CT1008CSF-331J hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±5%
DC-Widerstand (DCR)1.1Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 330NH 1.1 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz570MHz
MontageartSurface Mount

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