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CT1008CSF-470G

CT1008CSF-470G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-470G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 160mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
47 nH
DC-Widerstand (DCR)
160mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-470G.

Induktivität
47 nH

CT1008CSF-470G hat eine Induktivität von 47 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
160mOhm

CT1008CSF-470G hat einen DC-Widerstand von 160mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität47 nH
Toleranz±2%
DC-Widerstand (DCR)160mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 47NH 160 MOHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz1.5GHz
MontageartSurface Mount

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