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CT1008CSF-561G

CT1008CSF-561G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-561G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.3Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
560 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-561G.

Induktivität
560 nH

CT1008CSF-561G hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

CT1008CSF-561G ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm

CT1008CSF-561G hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität560 nH
Toleranz±2%
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)1.3Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 560NH 1.3 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz45 Min @ 100 MHz
Eigenresonanzfrequenz415MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount

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