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CT1008CSF-682G

CT1008CSF-682G

Central Technologies

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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 8 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
8Ohm
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-682G.

Induktivität
6.8 µH

CT1008CSF-682G hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT1008CSF-682G ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
8Ohm

CT1008CSF-682G hat einen DC-Widerstand von 8Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
-

CT1008CSF-682G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von -. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±2%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)8Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen-
Gehäuse / Größe-
Gehäuse / Ausführung-
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 8 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
Abschirmung-
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau