LogoMagdir
CT1008CSF-682G

CT1008CSF-682G

Central Technologies

PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-682G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 8Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
DC-Widerstand (DCR)
8Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-682G.

Induktivität
6.8 µH

CT1008CSF-682G hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
8Ohm

CT1008CSF-682G hat einen DC-Widerstand von 8Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CT1008CSF-682G weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±2%
DC-Widerstand (DCR)8Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 8 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz45MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau