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CT1008CSF-822J

CT1008CSF-822J

Central Technologies

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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 9.5 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
9.5Ohm
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-822J.

Induktivität
8.2 µH

CT1008CSF-822J hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CT1008CSF-822J ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9.5Ohm

CT1008CSF-822J hat einen DC-Widerstand von 9.5Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
-

CT1008CSF-822J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von -. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±5%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)9.5Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen-
Gehäuse / Größe-
Gehäuse / Ausführung-
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 9.5 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
Abschirmung-
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz35MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau