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CT1008CSF-911J

CT1008CSF-911J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008CSF-911J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 910 nH, Nennstrom 380 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.7Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
910 nH
Nennstrom
380 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.7Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008CSF-911J.

Induktivität
910 nH

CT1008CSF-911J hat eine Induktivität von 910 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
380 mA

CT1008CSF-911J ist für 380 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.7Ohm

CT1008CSF-911J hat einen DC-Widerstand von 1.7Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität910 nH
Toleranz±5%
Nennstrom380 mA
DC-Widerstand (DCR)1.7Ohm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 910NH 1.7 OHM SMD
Seriect1008csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz35 Min @ 50 MHz
Eigenresonanzfrequenz320MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount

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