Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008HQF-33NG von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 nH, Nennstrom 1300 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 90mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008HQF-33NG.
CT1008HQF-33NG hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT1008HQF-33NG ist für 1300 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT1008HQF-33NG hat einen DC-Widerstand von 90mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 33 nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 1300 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 90mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 33NH 90 MOHM SMD |
| Serie | ct1008hqf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.7GHz |
| Montageart | Surface Mount |
