Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LDLSF-3R3J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 800 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 210mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LDLSF-3R3J.
CT1008LDLSF-3R3J hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT1008LDLSF-3R3J ist für 800 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT1008LDLSF-3R3J hat einen DC-Widerstand von 210mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 800 mA Max |
| DC-Widerstand (DCR) | 210mOhm |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 105°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 210 MOHM SMD |
| Serie | ct1008ldlsf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Eigenresonanzfrequenz | 54MHz |
| Montageart | Surface Mount |
