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CT1008LSCF-2R7K

CT1008LSCF-2R7K

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LSCF-2R7K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 740 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.7Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
740 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.7Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LSCF-2R7K.

Induktivität
2.7 µH

CT1008LSCF-2R7K hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
740 mA

CT1008LSCF-2R7K ist für 740 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.7Ohm

CT1008LSCF-2R7K hat einen DC-Widerstand von 1.7Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom740 mA
DC-Widerstand (DCR)1.7Ohm
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.7UH 1.7 OHM SMD
Seriect1008lscf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz25 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz70MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount

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