Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LSF-222J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 520 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.1Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LSF-222J.
CT1008LSF-222J hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CT1008LSF-222J ist für 520 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CT1008LSF-222J hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 520 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.1Ohm |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 1.1 OHM SMD |
| Serie | ct1008lsf |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Q bei Frequenz | 34 Min @ 50 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 150MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
