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CT1008LSF-332J

CT1008LSF-332J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1008LSF-332J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 450 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.46Ohm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
450 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.46Ohm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1008LSF-332J.

Induktivität
3.3 µH

CT1008LSF-332J hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
450 mA

CT1008LSF-332J ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.46Ohm

CT1008LSF-332J hat einen DC-Widerstand von 1.46Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±5%
Nennstrom450 mA
DC-Widerstand (DCR)1.46Ohm
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.46 OHM SMD
Seriect1008lsf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Q bei Frequenz32 Min @ 50 MHz
Eigenresonanzfrequenz120MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount

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