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CT1206CSF-012J

CT1206CSF-012J

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1206CSF-012J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
12 nH
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1206CSF-012J.

Induktivität
12 nH

CT1206CSF-012J hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm

CT1206CSF-012J hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität12 nH
Toleranz±5%
DC-Widerstand (DCR)80mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 12NH 80 MOHM SMD
Seriect1206csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Eigenresonanzfrequenz3.2GHz
MontageartSurface Mount

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