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CT1206CSF-R27G

CT1206CSF-R27G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1206CSF-R27G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270 nH, Nennstrom 630 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 560mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
270 nH
Nennstrom
630 mA
DC-Widerstand (DCR)
560mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1206CSF-R27G.

Induktivität
270 nH

CT1206CSF-R27G hat eine Induktivität von 270 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
630 mA

CT1206CSF-R27G ist für 630 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
560mOhm

CT1206CSF-R27G hat einen DC-Widerstand von 560mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität270 nH
Toleranz±2%
Nennstrom630 mA
DC-Widerstand (DCR)560mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 270NH 560 MOHM SMD
Seriect1206csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz55 Min @ 300 MHz
Eigenresonanzfrequenz730MHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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