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CT1206CSF-R39G

CT1206CSF-R39G

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CT1206CSF-R39G von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 390 nH, Nennstrom 530 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
390 nH
Nennstrom
530 mA
DC-Widerstand (DCR)
750mOhm

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1206CSF-R39G.

Induktivität
390 nH

CT1206CSF-R39G hat eine Induktivität von 390 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
530 mA

CT1206CSF-R39G ist für 530 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
750mOhm

CT1206CSF-R39G hat einen DC-Widerstand von 750mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität390 nH
Toleranz±2%
Nennstrom530 mA
DC-Widerstand (DCR)750mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 390NH 750 MOHM SMD
Seriect1206csf
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
Q bei Frequenz45 Min @ 150 MHz
Eigenresonanzfrequenz600MHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount

Vorschau

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