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CT1210SF-1R2M

CT1210SF-1R2M

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.2UH 390MA 750 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
390 mA
DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CT1210SF-1R2M.

Induktivität
1.2 µH

CT1210SF-1R2M hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
390 mA

CT1210SF-1R2M ist für 390 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max

CT1210SF-1R2M hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CT1210SF-1R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom390 mA
DC-Widerstand (DCR)750mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-35°C ~ 85°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 390MA 750 MOHM
SerieCT1210SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz50 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz180MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.098 (2.50mm)
Merkmale-

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